En medio del crecimiento explosivo de la demanda de DRAM, provocado por el auge de la infraestructura de IA y las compras activas por parte de los hiperescaladores, Intel pretende aprovechar el momento y lanzar un nuevo estandar de memoria junto con Saimemory, una filial de SoftBank.
Segun las fuentes, los socios estan trabajando en la tecnologia Z-Angle Memory (ZAM), una alternativa a las soluciones tradicionales como HBM. El desarrollo comenzo anteriormente en el marco del programa Advanced Memory Technology (AMT), impulsado por el United States Department of Energy, donde Intel presento sus avances en el area del bonding de DRAM de nueva generacion. Aunque SoftBank no revela en los materiales oficiales los detalles del posicionamiento de ZAM, el propio concepto apunta a un serio alejamiento de la arquitectura clasica de memoria.
La idea clave de ZAM es la llamada conexion de capas en "angulo Z". A diferencia de los enfoques estandar, en los que las conexiones entre capas pasan de forma estrictamente vertical, el nuevo esquema supone un enrutamiento diagonal dentro de las pilas de chips. Esto permite utilizar con mayor eficiencia el area del silicio para las celdas de memoria, aumentar la densidad y, al mismo tiempo, reducir la resistencia termica.