На фоне взрывного роста спроса на DRAM, вызванного бумом ИИ-инфраструктуры и активными закупками со стороны гиперскейлеров, Intel намерена воспользоваться моментом и запустить новый стандарт памяти совместно с Saimemory, дочерней компанией SoftBank.
По данным источников, партнеры работают над технологией Z-Angle Memory (ZAM) — альтернативой традиционным решениям вроде HBM. Разработка началась еще в рамках программы Advanced Memory Technology (AMT), инициированной Министерством энергетики США, где Intel демонстрировала свои наработки в области DRAM-бондинга нового поколения. Хотя SoftBank в официальных материалах не раскрывает деталей позиционирования ZAM, сама концепция указывает на серьезный отход от классической архитектуры памяти.
Ключевая идея ZAM — так называемое «Z-угловое» соединение слоев. В отличие от стандартных подходов, где межслойные соединения проходят строго вертикально, новая схема предполагает диагональную маршрутизацию внутри стеков кристаллов. Это позволяет эффективнее использовать площадь кремния под ячейки памяти, повышать плотность и одновременно снижать тепловое сопротивление.