Но на спасение сектора и падение цен пока рассчитывать рано.
Хотя Intel уже несколько десятилетий не занимается бизнесом DRAM, компания вышла на новое для себя направление, объединив усилия с Saimemory, дочерней структурой SoftBank. Совместный проект получил название Z-Angle Memory (ZAM) и нацелен на то, чтобы бросить вызов фактической монополии HBM на рынке высокопроизводительной памяти. Ранее ZAM фигурировала в основном в научных работах и пресс-релизах, однако, как сообщает японское издание PCWatch, первый официальный обзор технологии был представлен на мероприятии Intel Connection Japan 2026.
Главная особенность ZAM — использование ступенчатой межсоединительной топологии, при которой соединения прокладываются диагонально внутри стеков кристаллов, а не проходят строго вертикально, как в традиционных подходах. По словам Intel, именно это решение обеспечивает заметные преимущества в области теплоотвода, что критически важно для современных высокоплотных модулей памяти.
Роль Intel в проекте ZAM пока до конца не раскрыта. Согласно маркетинговым материалам, представленным на выставке, компания отвечает за «первоначальные инвестиции и стратегические решения». Тем не менее, уже сейчас обсуждаются потенциальные преимущества Z-Angle Memory по сравнению с HBM. Среди заявленных улучшений:
- снижение энергопотребления на 40–50%
- упрощение производства за счет Z-интерконнектов
- более высокая емкость на один чип — до 512 ГБ
