NEDO выбрала ZAM в качестве перспективного стандарта памяти и рассматривает его в качестве альтернативы HBM.
Intel объявила о значительном прогрессе в разработке памяти нового поколения ZAM (Z-Angle Memory), реализуемой совместно с SoftBank. В официальном заявлении Intel Kabushiki Kaisha (Intel K.K.) и партнеры сообщили, что японская организация NEDO (New Energy and Industrial Technology Development Organization) выбрала ZAM в качестве перспективного стандарта памяти, который рассматривается как потенциальная альтернатива HBM.
Отмечается, что решение NEDO предусматривает государственное финансирование проекта, что должно ускорить его развитие. Основная цель — устранение дефицита памяти на рынках искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислений, где спрос продолжает стремительно расти. Поддержка со стороны Японии также предполагает привлечение широкой сети технологических, производственных и логистических партнеров как внутри страны, так и за ее пределами.
Проект ZAM был впервые представлен в феврале этого года как совместная инициатива Intel и SoftBank, направленная на решение глобального кризиса памяти. Архитектура Z-Angle Memory ориентирована на достижение высокой плотности, широкой пропускной способности и низкого энергопотребления. По словам президента Intel K.K. Макото Оно, многолетние исследования компании — от национальных лабораторий США до инициативы Next Generation DRAM Bonding — позволили подтвердить жизнеспособность технологии и приблизить ее к глобальному внедрению.
С технической точки зрения ZAM обещает снизить энергопотребление на 40–50%, упростить процесс производства и обеспечить емкость до 512 ГБ на один чип. Память будет строиться на основе плотной укладки DRAM-кристаллов, соединенных через Z-образные межсоединения. Каждый стек будет интегрироваться с основным вычислительным чипом при помощи технологии EMIB, размещенной под базовым кристаллом.
