Hasta ahora, la compañía se había adherido a un ciclo de actualización de estándares de dos años, pero ahora lo considera insuficientemente rápido.
Samsung Electronics tiene la intención de cambiar a un ciclo de desarrollo anual de nuevas generaciones de memoria HBM (High Bandwidth Memory) para mantenerse al día con el rápido crecimiento del mercado de la inteligencia artificial.
HBM es un componente clave de los aceleradores de IA modernos utilizados en centros de datos y computación de alto rendimiento. Hasta ahora, la compañía se había adherido a un ciclo de actualización de estándares de dos años, pero ahora lo considera insuficientemente rápido. Según los medios coreanos, Samsung ya está implementando un plan que prevé el lanzamiento de una nueva generación de HBM cada año, en sincronía con los lanzamientos de aceleradores de grandes clientes, incluyendo NVIDIA.
Actualmente, el producto actual de la compañía es HBM3E, y la siguiente etapa será HBM4, cuyo lanzamiento se espera para este año. La nueva memoria se utilizará en plataformas avanzadas, como Vera Rubin de NVIDIA e Instinct MI400 de Advanced Micro Devices.
El cambio a un ciclo de desarrollo acelerado permitirá a Samsung adaptarse mejor a las tendencias de la industria, donde el lanzamiento de aceleradores de IA ya ha pasado a ser anual. Esto también fortalecerá la posición de la compañía en la competencia con fabricantes de memoria como Micron Technology y SK Hynix.
Leer más sobre este tema:
