NEDO eligió ZAM como un estándar de memoria prometedor y lo considera una alternativa a HBM.
Intel anunció un progreso significativo en el desarrollo de la memoria de nueva generación ZAM (Z-Angle Memory), implementada conjuntamente con SoftBank. En un comunicado oficial, Intel Kabushiki Kaisha (Intel K.K.) y sus socios informaron que la organización japonesa NEDO (New Energy and Industrial Technology Development Organization) eligió ZAM como un estándar de memoria prometedor, considerado como una alternativa potencial a HBM.
Se señala que la decisión de NEDO prevé financiación estatal para el proyecto, lo que debería acelerar su desarrollo. El objetivo principal es eliminar la escasez de memoria en los mercados de inteligencia artificial y computación de alto rendimiento, donde la demanda continúa creciendo rápidamente. El apoyo por parte de Japan también supone la participación de una amplia red de socios tecnológicos, manufactureros y logísticos tanto dentro del país como fuera de él.
El proyecto ZAM fue presentado por primera vez en febrero de este año como una iniciativa conjunta de Intel y SoftBank, orientada a resolver la crisis global de la memoria. La arquitectura Z-Angle Memory está enfocada en alcanzar alta densidad, amplio ancho de banda y bajo consumo energético. Según el presidente de Intel K.K., Makoto Ono, años de investigación de la empresa, desde los laboratorios nacionales de Estados Unidos hasta la iniciativa Next Generation DRAM Bonding, permitieron confirmar la viabilidad de la tecnología y acercarla a su implementación global.
Desde el punto de vista técnico, ZAM promete reducir el consumo energético en un 40–50%, simplificar el proceso de fabricación y proporcionar una capacidad de hasta 512 GB por chip. La memoria se construirá sobre la base de un apilamiento denso de cristales DRAM, conectados mediante interconexiones en forma de Z. Cada pila se integrará con el chip principal de cómputo mediante la tecnología EMIB, situada debajo del cristal base.
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