Pero es demasiado pronto para esperar que esto salve al sector y los precios bajen.
Aunque Intel no ha estado en el negocio de DRAM durante décadas, la compañía ha entrado en una nueva dirección para sí misma al unir fuerzas con Saimemory, una subsidiaria de SoftBank. El proyecto conjunto se llama Z-Angle Memory (ZAM) y tiene como objetivo desafiar el monopolio de facto de HBM en el mercado de memoria de alto rendimiento. Anteriormente, ZAM aparecía principalmente en trabajos de investigación y comunicados de prensa, pero, según el medio japonés PCWatch, la primera revisión oficial de la tecnología se presentó en el evento Intel Connection Japan 2026.
La principal característica de ZAM es el uso de una topología de interconexión escalonada, en la que las conexiones se enrutan diagonalmente dentro de las pilas de chips, en lugar de pasar estrictamente verticalmente como en los enfoques tradicionales. Según Intel, esta solución proporciona ventajas notables en el área de la disipación de calor, lo cual es fundamental para los módulos de memoria modernos de alta densidad.
El papel de Intel en el proyecto ZAM aún no se ha revelado por completo. Según los materiales de marketing presentados en la exposición, la compañía es responsable de la "inversión inicial y las decisiones estratégicas". Sin embargo, ya se están discutiendo las posibles ventajas de Z-Angle Memory en comparación con HBM. Entre las mejoras declaradas:
- reducción del consumo de energía en un 40–50%
- producción simplificada gracias a las interconexiones Z
- mayor capacidad por chip: hasta 512 GB
