До сих пор компания придерживалась двухлетнего цикла обновления стандартов, однако теперь считает его недостаточно быстрым.
Samsung Electronics намерена перейти на ежегодный цикл разработки новых поколений памяти HBM (High Bandwidth Memory), чтобы успевать за стремительным ростом рынка искусственного интеллекта.
HBM является ключевым компонентом современных ИИ-ускорителей, используемых в дата-центрах и высокопроизводительных вычислениях. До сих пор компания придерживалась двухлетнего цикла обновления стандартов, однако теперь считает его недостаточно быстрым. По данным корейских СМИ, Samsung уже реализует план, предусматривающий выпуск нового поколения HBM каждый год — синхронно с релизами ускорителей от крупных клиентов, включая NVIDIA.
На данный момент актуальным продуктом компании является HBM3E, а следующим этапом станет HBM4, запуск которого ожидается уже в этом году. Новая память будет использоваться в передовых платформах, таких как Vera Rubin от NVIDIA и Instinct MI400 от Advanced Micro Devices.
Переход на ускоренный цикл разработки позволит Samsung лучше соответствовать тенденциям отрасли, где выпуск ИИ-ускорителей уже перешел на ежегодную основу. Это также усилит позиции компании в конкуренции с такими производителями памяти, как Micron Technology и SK Hynix.
Читайте ещё материалы по теме:
